规格书 |
PN4117-19, MMBF4117-19 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) | 80µA @ 10V |
漏极至源极电压(VDSS) | - |
漏电流(ID) - 最大 | - |
FET 型 | N-Channel |
- 击穿电压(V(BR)的GSS) | 40V |
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID | 1V @ 1nA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3pF @ 10V |
电阻 - RDS(ON) | - |
安装类型 | Through Hole |
包装材料 | Bulk |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 350mW |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大门源电压 | -40 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
渠道类型 | N |
封装 | Bulk |
最大功率耗散 | 350 |
最大漏极栅极电压 | 40 |
最低工作温度 | -55 |
配置 | Single |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) | 40V |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) | 80µA @ 10V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
电压 - 切断(VGS关)@ Id | 1V @ 1nA |
FET型 | N-Channel |
功率 - 最大 | 350mW |
标准包装 | 2,000 |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3pF @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | JFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | - 40 V |
正向跨导 - 闵 | 0.00008 S to 0.00025 S |
单位重量 | 0.007090 oz |
功率耗散 | 350 mW |
安装风格 | Through Hole |
漏源电流在Vgs = 0 | 15 mA |
栅源截止电压 | - 3 V |
RoHS | RoHS Compliant |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3pF @ 10V |
FET 类型 | N-Channel |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) | 1V @ 1nA |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
功率 - 最大值 | 350mW |
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 80µA @ 10V |
PN4118也可以通过以下分类找到
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